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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
64
En -167% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,651.3
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
837
2534
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
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