RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,256.8
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
64
Por volta de -167% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
11.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
2534
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link