RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
64
Около -167% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
15.4
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2534
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link