RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
64
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2534
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link