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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
44
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
8.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
44
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
10.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
2374
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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