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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
44
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
44
读取速度,GB/s
13.9
10.6
写入速度,GB/s
9.7
8.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
2374
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K000MD44U 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
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