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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
70
En 41% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
70
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
2519
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
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