RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
70
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
70
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
2519
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
ASint Technology SLA302G08-GGNNG 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link