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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
70
Intorno 41% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
9.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
70
Velocità di lettura, GB/s
13.9
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2366
2519
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Confronto tra le RAM
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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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