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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
41
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
39
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
2245
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
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