RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
65
En 55% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
65
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1892
1921
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link