RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
65
Rund um 55% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
8.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1892
1921
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link