RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
65
Autour de 55% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
65
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1892
1921
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB Comparaison des RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link