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Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Compara
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Puntuación global
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Puntuación global
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
46
En 43% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
46
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2078
2936
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
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