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Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Comparez
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Note globale
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Note globale
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
46
Autour de 43% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
46
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2078
2936
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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