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Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
比较
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
总分
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
总分
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 43% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
46
读取速度,GB/s
12.3
15.9
写入速度,GB/s
7.4
12.8
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2078
2936
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB RAM的比较
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
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