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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
比较
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
总分
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
总分
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
79
左右 -52% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
1,468.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
79
52
读取速度,GB/s
3,061.8
10.3
写入速度,GB/s
1,468.1
8.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
422
2390
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
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