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Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
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Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB vs Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Puntuación global
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Puntuación global
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
77
En -305% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
1,546.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
19
Velocidad de lectura, GB/s
2,631.4
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,546.2
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
406
3665
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
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Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
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