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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Compara
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Puntuación global
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Puntuación global
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
65
En -171% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
4.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
24
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
4.2
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
985
2761
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
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Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
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