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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
44
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
10600
En 2.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
30
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
23400
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
2709
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
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