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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Differenze
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Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
44
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
10600
Intorno 2.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
30
Velocità di lettura, GB/s
11.2
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
23400
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
2709
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
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