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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
54
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.7
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
42
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1929
2701
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
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