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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Puntuación global
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14200
En 1.35 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
14200
19200
Other
Descripción
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2558
2740
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
INTENSO 5641160 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
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