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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Compara
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Puntuación global
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
57
En 58% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
57
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2267
2377
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
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