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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Comparar
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Pontuação geral
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
57
Por volta de 58% menor latência
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
57
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
10.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2267
2377
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
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