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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Puntuación global
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.2 left arrow 12.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.1 left arrow 6.3
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    24 left arrow 44
    En -83% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    44 left arrow 24
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.2 left arrow 12.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.1 left arrow 6.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2302 left arrow 2256

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Memoria RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Memoria RAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Memoria RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Memoria RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Memoria RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Memoria RAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Memoria RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Memoria RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
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A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
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Memoria RAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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