RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
44
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2302
2256
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link