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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
総合得点
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
13.2
12.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.1
6.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
44
周辺 -83% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
24
読み出し速度、GB/s
13.2
12.7
書き込み速度、GB/秒
9.1
6.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2302
2256
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
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