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EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Compara
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Puntuación global
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
33
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
25
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2667
2994
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
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