RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Compara
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
73
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
1,479.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
73
Velocidad de lectura, GB/s
4,226.4
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,479.2
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
590
1724
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link