RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Compara
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
45
En -73% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
26
Velocidad de lectura, GB/s
6,336.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1144
2382
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link