RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Compara
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
45
En -73% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
26
Velocidad de lectura, GB/s
6,336.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1144
2382
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link