RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
26
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
2382
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link