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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2481
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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