RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 28
    周辺 7% 低遅延
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 13.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.4 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    13.2 left arrow 14.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 11.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2070 left arrow 2481

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAMの比較

A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB RAMの比較

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
メモリRAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
メモリRAM
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
メモリRAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
メモリRAM