RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2481
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link