RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
54
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
54
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1706
2938
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link