RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
32
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
1897
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link