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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
32
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
1897
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
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Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
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