RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
1897
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link