RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
32
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
1897
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link