RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2892
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link