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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
10600
En 2.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
23400
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2935
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
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Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
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