RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Compara
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
41
En 12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
41
Velocidad de lectura, GB/s
14.8
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2481
2656
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link