RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Compara
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
36
En 22% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
36
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2014
2497
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Mushkin 991586 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link