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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
36
读取速度,GB/s
12.4
15.8
写入速度,GB/s
7.5
11.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
2497
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-013.A00G 8GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
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