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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Puntuación global
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Puntuación global
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Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.4 left arrow 9.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.5 left arrow 6.8
    Valor medio en las pruebas
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 28
    En -4% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    28 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.4 left arrow 9.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.5 left arrow 6.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2014 left arrow 1767

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
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