RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Compara
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Puntuación global
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
64
En 52% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
9.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
17.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
64
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2735
2205
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link