RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
64
Около 52% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.9
9.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
17.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
64
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
17.5
Скорость записи, Гб/сек
10.9
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
2205
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link