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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
64
左右 52% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.9
9.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
17.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
64
读取速度,GB/s
17.4
17.5
写入速度,GB/s
10.9
9.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2205
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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