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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Compara
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
34
En 9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
34
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2735
2780
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
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Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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