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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Compara
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
96
En -317% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.9
1,336.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
96
23
Velocidad de lectura, GB/s
2,725.2
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,336.0
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
438
2231
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
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